单层过渡金属硫化物二维材料具有多种多样的应用前景，化学气相沉积合成是一种有效的合成二维材料方法，但是通常化学气相沉积合成的材料通常比剥离得到的二维材料品质更低，含有较多的缺陷，这是由于合成过程中难以在使用前驱分子的浓度、分布情况难以控制。有鉴于此，清华大学刘碧录、成会明等报道了通过硫醇进行化学气相沉积生长，合成高质量、均匀的MoS₂。

本文要点：

（1）

合成方法。在SiO₂/Si基底上旋涂Na₂MoO₄，并随后在加热作用中通入C₁₂H₂₅SH，得到了较高质量的二维MoS₂材料。

（2）

原子分辨结构表征结果显示，通过这种方法合成的MoS₂中的缺陷浓度是各种CVD方法合成得到的最低，通过低温光谱方法测试发现了MoS₂的超高光学质量。密度泛函理论研究结果显示，在合成过程中硫醇分子能够通过和MoS₂的缺陷发生相互作用，并在MoS₂生长的过程中消除了缺陷位点。该方法实现了简单有效可控的方法合成高质量超低缺陷位点二维材料的方法，并且可能有助于光电化学领域。

参考文献

Simin Feng, Junyang Tan, Shilong Zhao, Shuqing Zhang, Usman Khan, Lei Tang, Xiaolong Zou, Junhao Lin, Hui‐Ming Cheng*, Bilu Liu*

Synthesis of Ultrahigh‐Quality Monolayer Molybdenum Disulfide through In Situ Defect Healing with Thiol Molecules, Small 2020

DOI：10.1002/smll.202003357

https://www.onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/smll.202003357