无序感应磁阻（MR）效应在低垂直磁场中为二次方，在高场中为线性。这种效应对技术应用十分重要，尤其是在2D材料（例如石墨烯）中，因为它在纳米级空间分辨率的磁传感器领域具有潜在的应用。然而，由于难以控制无序的空间分布并难以在单层体系中提高MR灵敏度，因此基于这种效应实现石墨烯磁性传感器是一个巨大的挑战。近日，新加坡国立大学Ariando Ariando等研究发现阶梯型单层石墨烯在9 T时的室温总MR高达5000％。
本文要点：
1）通过将单层石墨烯层压在阶梯型基底（例如TiO2端接的SrTiO3）上，与常规的单层石墨烯器件相比，其MR普遍提高了一个数量级。
2）令人惊讶的是，即使在≈1012cm-2的高载流子密度下，阶梯型石墨烯中也可以实现> 1000％的巨大MR。
3）对各种氧化物基和非氧化物基平台表面上单层石墨烯的MR的系统研究表明，平台结构是驱动MR增强的主要因素。
该工作通过在阶梯型基底对应变进行工程设计，为定制2D材料的物理特性开辟了一条新途径。
Junxiong Hu, et al. Room‐Temperature Colossal Magnetoresistance in Terraced Single‐Layer Graphene. Adv. Mater., 2020
DOI: 10.1002/adma.202002201
