通过自旋轨道感应的扭矩切换磁性元件的能力最近引起了人们的关注，因为这是一条通往低功耗的高性能，非易失性存储器的道路。要实现基于自旋轨道的有效切换，需要利用新材料和新颖的物理学手段来获得高的电荷到自旋转换效率，因此自旋源的选择至关重要。近日，新加坡国立大学Hyunsoo Yang等报道了与坡莫合金相邻的双层由1T'-MoTe2半金属膜组成的双层中自旋轨道转矩转换。
本文要点：
1）实验发现，该材料在室温下无需外部磁场即可实现确定性切换，并且切换时的电流比使用最佳性能重金属的设备中的典型电流还要小一个数量级。
2）如果除了整体自旋霍尔效应之外还考虑界面自旋轨道的贡献，则可以理解其具有厚度依赖性的原因。
3）借助于哑铃形磁性元件，作者将开关电流进一步降低了三倍。
该工作的发现表明，将MoTe2在低功率半金属材料自旋器件领域具有重要的应用前景。
Shiheng Liang, et al. Spin‐Orbit Torque Magnetization Switching in MoTe2/Permalloy Heterostructures. Adv. Mater., 2020
DOI: 10.1002/adma.202002799
