二维材料具有许多新颖的特性，在新材料领域备受关注。今日，中科院金属所任文才研究员等人通过在氮化钼中引入Si元素以钝化其表面，实现了CVD生长厘米级MoSi₂N₄单层膜。

本文要点：

1）这种那个单层膜由N-Si-N-Mo-N-Si-N原子层构成，可以将其视为MoN₂层被夹在两个Si-N双层之间。

2）同时，二维MoSi₂N₄带隙为1.94 eV，具有半导体特性。除此之外，该材料具有高强度以及优异的稳定性，在环境条件下可稳定存在。

3）DFT表明，这一系列单层结构的二维层状材料种类丰富，除半导体，还有可能存在金属、磁性半金属等。

参考文献：

Yi-Lun Hong et al. Chemical vapor deposition of layered two-dimensional MoSi₂N₄materials. Science 2020, 369, 670-674.

DOI: 10.1126/science.abb7023

https://science.sciencemag.org/content/369/6504/670