近日，国家纳米科学中心的谢黎明教授和北京大学的宋志刚报道了使用物理气相沉积的方法在SiO₂/Si基板上制备得到了厚度为5~40nm的单晶NiI₂，发现NiI₂具有显著的磁性相变。

文章要点：

（1）以NiI₂粉体为原料，使用物理气相沉积的方法，在SiO₂/Si基板上制备得到了厚度为5~40 nm的NiI2单晶，在立方氮化硼上则可以生长出单层或者少层的NiI₂单晶。

（2）偏正拉曼光谱表明当温度降低时，NiI₂在26cm^-1左右会出现一个新的峰，这个峰与双磁子散射有关，说明NiI₂发生了磁性相变，且发生磁性相变的温度与NiI₂单晶的厚度有关，当厚度由38 nm减小至2 nm时，磁性相变的发生温度由55 K降低至35 K。

（3）NiI₂的FET表现出优异的开关比，开关比高达10⁶，载流子迁移率较低，约为0.16 cm²/(V·s)。且随着NiI2单晶厚度的增加（5 nm增加至10 nm），开关比由10⁶降低至10⁴，载流子迁移率由0.16 cm²/(V·s)降低至0.04 cm²/(V·s)。

Liu H, Wang X, Wu J, et al. Vapor Deposition of Magnetic van der Waals NiI2 Crystals[J]. ACS Nano, 2020.

DOI: 10.1021/acsnano.0c04499

https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsnano.0c04499