虽然氮化硼(BN)目前受到广泛关注,并且其物理、化学性质独特,但是BN的应用范围受到较大限制,因为该材料合成过程有较大难度,并且材料的品质难以保证。有鉴于此,韩国科学技术院(KAIST) Eugene N. Cho、Yeon Sik Jung等报道了一种合成BN的方法,具体通过脱溶剂诱导的粘附转换DIAS(desolvation‐induced adhesion switching)过程,通过转印过程合成了高质量BN薄膜材料。作者发现,通过对BN薄膜材料的边缘功能化,同时选择性的对薄膜界面能、溶剂化/脱溶剂化进行系统性的控制,对BN-BN、BN-膜、BN-基底之间的相互作用实现了较好的调控。
DIAS方法:通过尿素辅助球磨方法,BN材料边缘修饰羟基官能团,并剥离得到BN纳米片。将球磨后的BN纳米片用水进行清洗、透析和超声处理,随后真空抽滤后得到BN薄膜材料。并且这种真空抽滤BN薄膜材料能够轻松的转移到刻蚀的Si晶圆、PET膜、玻璃、树叶、金薄膜材料上。
得到的BN材料具有杰出的散热性能,显著的光学增强效果,并且在发光、荧光、光伏器件等领域中的下一代光电器件中将起显著和重要的作用。
参考文献
Yujin Han, Hyeuk Jin Han, Yoonhyuk Rah, Cheolgyu Kim, Moohyum Kim, Hunhee Lim, Kwang Ho Ahn, Hanhwi Jang, Kyoungsik Yu, Taek‐Soo Kim, Eugene N. Cho*, Yeon Sik Jung*
Desolvation‐Triggered Versatile Transfer‐Printing of Pure BN Films with Thermal–Optical Dual Functionality, Adv. Mater. 2020
DOI: 10.1002/adma.202002099
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202002099