硒化铟（InSe）以其良好的载流子迁移率和厚度可调的禁带宽度成为研究的热点，在高性能光电子器件中显示出巨大的应用潜力。光电子学的小型化趋势迫使电子元件的特征尺寸相应缩小。因此，原子薄InSe晶体有望在未来的光电应用中发挥重要作用。鉴于当前机械剥离超薄Inse的不稳定性和超低的光致发光（PL），因此，合成具有高发光效率、高稳定性的单层和少层InSe纳米片具有重要意义。
有鉴于此，深圳大学张文静教授报道了通过对体相InSe的电化学插层产物进行热处理，成功制备了超薄InSe纳米片。
文章要点
1）所制备的纳米薄片的尺寸和产率分别达到~160 μm和~70%，~80%的纳米薄片小于5层。
2）由于碳物种的表面修饰，所制备的纳米片表现出超高稳定性和PL。在所制备的纳米片基器件中获得了2 A/W的有效光响应率。将纳米片进一步组装成大面积薄膜，光响应率为16 A/W，平均霍尔迁移率约为5 cm2 V-1 s-1。
3）研究人员通过溶剂辅助剥离纳米片的自组装，构建了长度可达90 μm的一维InSe纳米卷。
Qiaoyan Hao, et al, Surface Modified Ultrathin InSe Nanosheets with Enhanced Stability and Photoluminescence for High-Performance Optoelectronics, ACS Nano, 2020
DOI: 10.1021/acsnano.0c03556
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.0c03556
