在过去的几十年里，太阳能转换系统作为清洁、可持续和环境友好的能源引起了人们的高度关注。在这方面，可见光诱导的电荷转移过程在将充足的阳光转化为有用的燃料、化学品和电能方面发挥着至关重要的作用。尽管InP量子点（QDs）被认为是太阳能转换的替代材料，但裸露的InP量子点固有的不稳定性要求在实际应用中需要使用ZnS等钝化层，这阻碍了从量子点中提取光生载流子。

近日，韩国陶瓷工程技术研究所Jiwon Bang，蔚山大学Jong Wook Hong报道了Cu掺杂的InP/ZnS（InP/Cu：ZnS）QDs由于被Cu的空穴俘获而提高了其电子转移能力。

文章要点

1）InP/ZnS和InP/Cu：ZnS QDs的合成采用了一种稍加修改的方法，在InP/ZnS量子点中掺入3%的硬脂酸铜(II)。

2）稳态和时间分辨光致发光研究证实，通过抑制QDs内的电子-空穴复合，电子从InP/Cu：ZnS QDs有效地转移到了苯醌受体上。

3）对InP/Cu：ZnS QDs在可见光下的析氢性能进行了测试，结果表明，InP/Cu：ZnS QDs在可见光照射下表现出优异的析氢活性和稳定性。

Jiwon Bang, et al, Controlled Photoinduced Electron Transfer from InP/ZnS Quantum Dots through Cu Doping: A New Prototype for Visible-light Photocatalytic Hydrogen Evolution Reaction, Nano Lett., 2020

DOI: 10.1021/acs.nanolett.0c00983

https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.0c00983