具有直接带隙的单层过渡金属二硫化物（TMDs）可用于各种光电应用，例如超薄发光体和吸收体。然而，由原子薄层引起的弱光吸收阻碍了高光学增益的更多用途。尽管与金属纳米结构的等离激元杂化显着增强了光与物质之间的相互作用，但是金属纳米结构的腐蚀和不稳定性以及直接的金属-半导体接触的不良作用成为其实际应用的障碍。近日，韩国忠北国立大学Hyun Seok Lee等报道了利用介电纳米结构，来等离激元增强TMDs的光-物质相互作用。
本文要点：
1）作者将TiO2纳米线（NWs）与MoS2单层在各种基地上进行杂化。通过在用于光子散射效果的TiO2 NW与具有用于等离激元Purcell效应的间隔物的金属基地之间放置单层MoS2，可以获得该介电纳米线杂化材料。
2）薄的电介质间隔物旨在最大程度地减少直接金属接触引起的发射猝灭，同时最大化在TiO2 NW附近的超薄MoS2中的光场定位。
3）实验表明，与没有NW的MoS2相比，在混合结构NW附近的MoS2可获得约22的有效发射增强因子。
Jung Ho Kim, et al. Dielectric Nanowire Hybrids for Plasmon-Enhanced Light-Matter Interaction in 2D Semiconductors. ACS Nano, 2020
DOI: 10.1021/acsnano.0c05158
