过渡金属二硫化物（TMDs）的二维异质结由于其原子尺度的厚度而具有独特的物理特性，在下一代电子和光电应用中具有巨大的潜力。可控的成核位点在异质结构的选择性生长中起关键作用。近日，苏州大学Guifu Zou，燕山大学Liqiang Zhang等报道了一种一锅法策略，以实现大型MoS2/WS2横向和垂直异质结构的受限和选择性生长。
本文要点：
1）作者引入氢氧化物辅助工艺控制成核的位置，从而实现横向和垂直异质结构的可选择性的形成。作者通过飞行时间二次离子质谱法验证了氢氧根对这些异质结构可控生长的关键作用。
2）通过该方法生长的MoS2/WS2横向异质结构的尺寸可高达1毫米，这是迄今为止报道的最大横向尺寸。
3）获得的MoS2/WS2异质结构具有〜58 cm2 V-1 s-1的高载流子迁移率，并且最大开/关电流比> 108。
该工作报道的方法不仅为大型MoS2/WS2横向和垂直异质结构的选择性生长提供了途径，而且为控制过渡金属二卤化异质结构选择性生长的表面化学提供了基本的了解。
Juntong Zhu, et al. One-Pot Selective Epitaxial Growth of Large MoS2/WS2 Lateral and Vertical Heterostructures. J. Am. Chem. Soc., 2020
DOI: 10.1021/jacs.0c05691
