可控成核位点在异质结构的选择性生长中具有关键作用。近日，苏州大学邹贵付教授，燕山大学Liqiang Zhang首次报道了一锅法实现大尺寸MoS₂/WS₂横向和垂直异质结的受限和选择性生长。

文章要点

1）引入氢氧化物辅助工艺来控制形核位置，从而实现横向和垂直异质结构的任意形成。采用飞行时间二次离子质谱分析（TOF-SIMS） 验证了氢氧根对这些异质结构可控生长的关键作用。

2）生长的MoS₂/WS₂横向异质结构的尺寸可高达1mm，这是迄今为止所报道的具有最大横向尺寸的MoS₂/WS₂。所获得的MoS₂/WS₂异质结构具有〜58 cm² V^-1 s^-1的高载流子迁移率，并且最大开/关电流比超过108。

这种方法不仅为大尺寸MoS₂/WS₂横向和垂直异质结构的选择性生长提供了途径，而且为控制过渡金属二硫化异质结构选择性生长的表面化学提供了基本的了解。

Juntong Zhu, et al, One-Pot Selective Epitaxial Growth of Large MoS₂/WS₂ Lateral and Vertical Heterostructures Lateral and Vertical Heterostructures, J. Am. Chem. Soc., 2020

DOI: 10.1021/jacs.0c05691

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.0c05691