新兴拓扑狄拉克半金属目前为获取光电子器件提供了新鲜方案，但是目前该类型的器件目前仍难以实现。其中，PdTe₂的能带结构特殊，具有拓扑学受到保护的电子态，并且展现出高载流子移动、温和条件中稳定等特点。有鉴于此，上海技术物理研究所陈效双、王林，拉奎拉大学Antonio Politano等报道了PdTe₂基器件及其较高的非线性光学伽伐尼效应，在室温中实现10 A/W的响应值，并且等效噪声功率低于2 pW/Hz^0.5。验证了PdTe₂基器件可能有光响应、偏振敏感检测、大面积快速成像等用途。以上结果为扩展非制冷的敏感光电子器件验证了可行性，特别是在太赫兹波段应用中。

本文要点：

（1）

作者在300 K中的温和气氛条件和非偏压条件，测试PdTe₂基器件的光电流，在2.5 mW/cm²的0.12 THz光入射功率中得到1.5 μA的信号。此外，在快速的太赫兹波段暴露开/关测试过程中，器件得以在大气气氛中稳定长达1个月。

参考文献

Cheng Guo, Yibin Hu, Gang Chen, Dacheng Wei, Libo Zhang, Zhiqingzi Chen, Wanlong Guo, Huang Xu, Chia-Nung Kuo, Chin Shan Lue, Xiangyan Bo, Xiangang Wan, Lin Wang*, Antonio Politano*, Xiaoshuang Chen* and Wei Lu

Anisotropic ultrasensitive PdTe₂-based phototransistor for room-temperature long-wavelength detection, Sci Adv. 2020

DOI: 10.1126/sciadv.abb6500

https://advances.sciencemag.org/content/6/36/eabb6500