金属接触在二维半导体器件的电化学活性中起到关键作用，有鉴于此，斯坦福大学Eric Pop等报道了功函数在3.1~5.2 eV范围内的多种金属（Y, Sc, Ag, Al, Ti, Au, Ni）和化学气相沉积法合成的单层MoS₂之间的界面接触进行详细和深入研究，具体通过Raman光谱、X射线光电子能谱、XRD、TEM、以及电子学表征方法进行研究。

本文要点：

（1）

作者发现：

1. 超薄的氧化后的Al掺杂MoS₂形成的n型半导体（＞2×10¹² cm^-2）迁移率未有降低 

2. Ag, Au, Ni衬底会不同程度上损坏MoS₂材料（Raman E峰从＜3 cm^-1扩展到＞6 cm^-1） 

3. Ti, Sc, Y会与MoS₂发生反应。这种反应性金属需要避免与MoS₂直接接触，但是控制性实验结果显示在多层MoS₂材料中，反应局限在多层膜的顶层。

4. 通过XRD表征发现，超薄的金属不会对MoS₂中产生显著的应力变化。以上重要发现不仅仅对MoS₂和金属的接触，对其他种类的二维半导体同样有指导意义。

参考文献

Kirstin Schauble, Dante Zakhidov, Eilam Yalon, Sanchit Deshmukh, Ryan W Grady, Kayla A. Cooley, Connor J. McClellan, Sam Vaziri, Donata Passarello, Suzanne E. Mohney, Michael F. Toney, A. K. Sood, Alberto Salleo, and Eric Pop*

Uncovering the Effects of Metal Contacts on Monolayer MoS₂, ACS Nano 2020

DOI: 10.1021/acsnano.0c03515

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.0c03515