近年来，单晶卤化物钙钛矿及其纳米结构由于潜在的高载流子迁移率和低缺陷陷阱密度，引起了人们对其在光伏能源以外的应用的浓厚兴趣。然而，其发展受到电荷输运能力差和稳定性差的严重限制。

近日，香港城市大学Johnny C. Ho报道了通过简单的表面电荷转移掺杂策略成功制备了具有高迁移率的溴化铯钙钛矿（CsPbBr₃）纳米器件。

文章要点

1）通过三氧化钼（MoO₃）表面功能化，实现了气-液-固（VLS）生长的CsPbBr₃纳米线（NWs）的有效表面电荷转移掺杂。由于有效的界面电荷转移和减少的杂质散射，沉积10 nm厚的MoO₃壳层后，制成的NW器件的场效应空穴迁移率（μh）从1.5 cm²/Vs增加到23.3 cm²/Vs，提高了15倍。这种增强的迁移率已经高于迄今为止报道的所有钙钛矿场效应晶体管（FET）的μh。

2）研究人员研究了这些CsPbBr₃/MoO₃核壳纳米管的光探测性能，结果显示，在532 nm波段获得了高达2.36×10³ A/W的响应和5.48×10⁵%以上的外量子效率(EQE)。重要的是，MoO₃外壳可以为CsPbBr₃ NWs核提供出色的表面钝化，最大限度地减少有害水和氧分子的扩散，提高CsPbBr₃/MoO₃核壳NWs器件的空气稳定性。

这些发现表明表面掺杂可作为实现高迁移率和耐气性的低维卤化物钙钛矿器件的一种使能技术。

You Meng, et al, Perovskite Core-Shell Nanowire Transistors: Interfacial Transfer Doping and Surface Passivation, ACS Nano, 2020

DOI: 10.1021/acsnano.0c03101

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.0c03101