二维过渡金属硫化物在光电子、量子学领域中展现了吸引人的性质，该类器件中最为关键的是金属-半导体的界面，但是界面上的接触电阻严重抑制了器件的性能，量子输运性能研究鲜有，因为液氮温度中的界面接触作用较差。有鉴于此，新加坡科技研究局Kuan Eng Johnson Goh等报道了通过化学气相沉积方法制备单层、双层WS₂器件，该器件通过In合金材料作为金属电极，作者测试了其温度和传输距离之间的关系。

本文要点：

（1）

器件具有较低的接触电阻（10 kΩ），较低的Schottky能垒（1.7 meV），并且观测到共振隧穿现象，高效率的载流子注入实现了较高的载流子移动（~190 cm² V^-1 s^-1）。该In合金接触在低至3 K温度依然保持较高的工作性能。

（2）

DFT计算结果为WS₂-In界面上的量子传输性质提供了深入的理解，并为通过In金属电极设计高活性WS­₂器件提供理论支持。

参考文献

Chit Siong Lau, Jing Yee Chee, Yee Sin Ang, Shi Wun Tong, Liemao Cao, Zi-En Ooi, Tong Wang, Lay Kee Ang, Yan Wang, Manish Chhowalla, and Kuan Eng Johnson Goh*

Quantum Transport in Two-Dimensional WS₂ with High-Efficiency Carrier Injection through Indium Alloy Contacts, ACS Nano. 2020

DOI: 10.1021/acsnano.0c05915

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.0c05915