AM: WSe2基多模光发射场效应晶体管
纳米技术 纳米 2020-09-15

二维半导体在电化学可调控的光电子器件中展现广泛应用前景,虽然单层过渡金属硫化物展现较高的激子荧光强度,它们的电致荧光效率仍然非常低,因为载流子注入过程中的电子-空穴复合。有鉴于此,首尔大学Gwan‐Hyoung Lee、高丽大学Chul‐Ho Lee等报道了多工作模式发光场效应晶体管(LEFETs),其由单层WSe2通道、石墨烯电极、两个  顶栅极对载流子注入和选择性进行平衡。

本文要点:

(1)

可见光区间的电致荧光外量子效率在室温条件中达到≈6 %,这是由于注入电子/空穴在限域的2D通道中得以缓解才实现。

(2)

进一步的,通道和电极的电可调性能具有多操作模式,包括纳米双极,耗尽和单极区域,并能够用于极性可调控的场效应晶体管、光探测器。以上结果展示了二维半导体LEFETs能够用于获取多功能、异质整合、高性能光电器件。

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参考文献

Junyoung Kwon, June‐Chul Shin, Huije Ryu, Jae Yoon Lee, Dongjea Seo, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Young Duck Kim, James Hone, Chul‐Ho Lee*, Gwan‐Hyoung Lee*

Multioperation‐Mode Light‐Emitting Field‐Effect Transistors Based on van der Waals Heterostructure, Adv. Mater. 2020

DOI: 10.1002/adma.202003567

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202003567


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