Van der Waals二维层状异质结材料目前受到广泛关注，因为其层间耦合作用能够在光电化学领域产生新型物理学现象和多功能。这种耦合作用能够通过介电作用、分离情况、堆叠角度等方法调控，并且会影响整体电荷、能量转移情况，并展现出在扭转材料学领域的应用前景。有鉴于此，新加坡南洋理工大学熊启华等报道了WS₂/hBN/MoSe₂异质结材料中的高性能Förster共振能量转移现象。

本文要点：

（1）

作者通过静态、时间分辨光谱进行测试，展示了其中电子-空穴对产生过程、解离trion产生的自由电子，在实验中发现~59.9 %的电子-空穴对通过FRET（~38 ps）进行向MoSe₂中传输，~40.1 %通过在WS₂（~57.4 ps）中发射光子进行复合，同时自由电子会累积在WS₂/hBN界面上，该研究首次实现了一种清晰的二维过渡金属硫化物异质结中FRET过程，对发展类似的异质结结构光电器件提供了重要和基础性经验。

（2）

该过程和分子体系中的偶极-偶极相互作用有所区别，同时和其他目前报道的二维TMD异质结材料中的激子相互作用不同。

参考文献

Zehua Hu, Pedro Ludwig Hernandez-Martinez, Xue Liu, Mohamed Raouf Amara, Weijie Zhao, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Hilmi Volkan Demir, and Qihua Xiong

Trion-Mediated Förster Resonance Energy Transfer and Optical Gating Effect in WS₂/hBN/MoSe₂ Heterojunction, ACS Nano. 2020

DOI: 10.1021/acsnano.0c05447

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.0c05447