高极性材料通常比弱极性材料在电子-声子相互作用中受到研究者青睐，并且其性质非常吸引人，有鉴于此，雷恩第一大学Charles Cornet等报道了同时对(In,Ga)P/SiGe/Si样品在二维垂直等效奇点（APB）附近的电荷载流子和声子进行限域，通过TEM、XRD、从头算计算、Raman、荧光等测试手段揭示了电子-声子相互作用对荧光的影响。

本文要点：

（1）

通过第一性原理对等价电子态、声子的2维分布、层组对称性进行分析，结果显示在APB和周围的半导体矩阵之间产生Ⅱ型能带对齐。作者在实验中发现黄昆因子（Huang-Rhys factor）为8，说明在未掺杂的Ⅲ-V半导体的二维垂直量子限域作用中能够获得较大和罕见的强电子-声子耦合作用。

（2）

本文中的结果扩展了二维垂直等效Ⅲ-V等价纳米材料中电子-声子相互作用，为材料设计、载流子传输、Si基底上异质结构的设计及其器件应用提供了广泛经验。

参考文献

Lipin Chen, Oliver Skibitzki, Laurent Pedesseau, Antoine Letoublon, Julie Stervinou, Rozenn Bernard, Christophe Levallois, Rozenn Piron, Mathieu Perrin, Markus Andreas Schubert, Alain Moréac, Oliver Durand, Thomas Schroeder, Nicolas Bertru, Jacky Even, Yoan Leger, and Charles Cornet*

Strong Electron-Phonon Interaction in 2D Vertical Homovalent III-V Singularities, ACS Nano. 2020

DOI: 10.1021/acsnano.0c04702

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.0c04702