自下而上催化生长是高产量,通用且强大的构建3D纳米复合物的方法,其主要挑战是实现自上而下光刻所保证的精确位置和均匀性控制。近日,南京大学Linwei Yu,Junzhuan Wang等报道了在SiO2/SiNx多层的截断的垂直侧壁上均匀生长超薄硅纳米线(SiNWs)阵列。
本文要点:
1)研究发现,In催化剂形成被限制在狭窄的沟槽内,宽度小于In原子表面扩散长度,它可以极大地抑制无规团聚并消除不希望的edge-riding液滴,这些液滴是导致相邻SiNWs之间直径波动较大的主要原因。
2)通过优化的参数,可以控制SiNWs在不同的沟槽水平上生长,堆叠数量可增加(但不限于)至10层,直径均匀,达到28±2.4 nm,间距为