ACS Nano: MoS2卷曲结构二次谐波
纳米技术 纳米 2020-09-27

高效率进行高二次谐波产生(SHG)的低维材料对集成光子学、非线性光学有较高的应用前景,有鉴于此,宾夕法尼亚州立大学黄声希等报道了不同手性的MoS2纳米卷,并研究了其SHG性能。在一维结构中,MoS2纳米卷材料展现出降低的对称性,较强的手性相关极性分辨的SHG,这种SHG行为得以通过纳米卷壁的二次谐波场的叠加理论进行很好的解释有一定手性结构的MoS2纳米卷材料(~300×100 nm,5~6层卷)的SHG强度是单层MoS2材料的95倍,并且作者发现其SHG强度还能够通过实验设计进一步提高(构建更加紧密的层结构)。

本文要点:

(1)

作者发现这种纳米管结构在WS2、WSe2hBN等二维材料体系中同样能够实现。相关手性SHG实验表征和分析结果,说明其能够用于快速-高效-非破坏性的对纳米卷、纳米棒体系的手性表征。

(2)

在SiO2/Si基底上通过CVD化学气相沉积方法生长单层MoS2,随后通过加入100~500 μL异丙醇将MoS2转化为层状卷曲结构。作者通过COMSOL模拟方法对光激发、纳米卷的SHG进行模拟。

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参考文献

Qingkai Qian, Rui Zu, Qingqing Ji, Gang Seob Jung, Kunyan Zhang, Ye Zhang, Markus J. Buehler, Jing Kong, Venkatraman Gopalan, and Shengxi Huang*

Chirality-Dependent Second Harmonic Generation of MoS2 Nanoscroll with Enhanced Efficiency, ACS Nano. 2020

DOI: 10.1021/acsnano.0c05189

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.0c05189


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