高晶化的ZnO等无机半导体氧化物由于具有优异的电子、光电性能，ZnO受到了广泛的关注。ZnO的合成能够通过高通量水热合成方法快速进行，但是大面积、高品质、可编程的ZnO合成，用于光电集成化学仍具有较高难度。有鉴于此，中国科学院理化技术研究所Hanfei Gao、Yuchen Wu等报道了通过毛细液桥（capillary‐bridge）方法，调控ZnO前体溶液的祛湿过程从而对前体排列进行图案化处理。通过前体排列结构的控制，高度晶化的垂直排列的高晶化ZnO阵列得以通过水热外延方法构建。

本文要点：

（1）

统计结果与结晶理论有助于实验优化、晶化反应机理的讨论，并且发现其中均相成核、异相成核过程的竞争关系。高度晶化的ZnO纳米带阵列得以通过表面活性剂辅助水热方法、转移到聚二甲基硅氧烷基底过程实现。基于ZnO微米带结构的光探测器展现了较高的响应性能（2.3×10⁴ A W^-1），光开关比达到10⁵和非常好的循环性能。

参考文献

Haohao Li, Meilin Liu, Jinjin Zhao, Hanfei Gao*, Jiangang Feng, Lei Jiang, Yuchen Wu*

Controllable Heterogeneous Nucleation for Patterning High‐Quality Vertical and Horizontal ZnO Microstructures toward Photodetectors, Small 2020

DOI: 10.1002/smll.202004136

https://www.onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/smll.202004136