欧洲自由电子激光装置(European XFEL)Peter Zalden，科隆大学Christine Koch等报道了合成(Ge_1-xSn_x)₈Sb₂Te₁₁薄膜，研究了Sn修饰作用在相变存储器（一种下一代电子数据存储技术）中应用。人们预期Sn的修饰能够降低晶化温度，但是目前并没有比较深入的认识到晶化速率如何受到影响。由于其较高的晶化温度，Ge₈Sb₂Te₁₁作为(GeTe)_y(Sb₂Te₃)_1-y相转变体系的模型相变材料。

本文要点：

（1）

以5 K min^-1的升温速率进行原位X射线衍射实验，对晶化温度和对应的结构进行监控，随后作者通过飞秒光学脉冲加热材料，并监控其产生的光反射增加，得到了最高的晶化速率。在各种组成范围内通过熔融淬火过程都得到了玻璃态，但是在x=0, 97的时候，需要后续的脉冲进行晶化，而在x=0.5的时候，单个脉冲就足以实现相同效果。此外，作者通过光学椭偏法和量热法对样品进一步的表征，以上结果说明通过单个飞秒脉冲处理过程，Ge₄Sn₄Sb₂Te₁₁能够有望用于光子学领域中。

参考文献

Peter Zalden,* Christine Koch,* Melf Paulsen, Marco Esters, David C. Johnson,

Matthias Wuttig, Aaron M. Lindenberg, and Wolfgang Bensch

Acceleration of Crystallization Kinetics in Ge-Sb-Te-Based Phase-Change Materials by Substitution of Ge by Sn, Adv. Funct. Mater. 2020

DOI: 10.1002/adfm.202004803

https://doi.org/10.1002/adfm.202004803