二维(2D)半导体对具有原子薄沟道的电子器件很有吸引力。然而，由于原子薄晶格中有限的物理空间，通过掺入杂质来控制2D材料的电子性质，存在极大的困难。

近日，加州大学洛杉矶分校黄昱教授，段镶锋教授报道了一种固态离子掺杂方法以定制2D半导体中的载流子类型，并成功开发了可编程器件。该策略利用碘化银中的超离子相变来诱导可切换的离子掺杂。

文章要点

1）研究人员构建了几层二硒化钨（WSe2）器件，可以通过在超离子相变温度以上可控地极化范德华集成碘化银，将其可逆地转换为具有可重配置载流子类型的晶体管和具有可转换极性的二极管。

2）研究人员还通过对相同的晶体管进行集成和编程来构造互补逻辑门，并证明了编程的功能可以通过外部触发器(温度或紫外线照射)来擦除，以开发电子安全所需的临时和可擦除的电子设备。

Lee, S., Lin, Z., Huang, J. et al. Programmable devices based on reversible solid-state doping of two-dimensional semiconductors with superionic silver iodide. Nat Electron (2020)

DOI：10.1038/s41928-020-00472-x

https://doi.org/10.1038/s41928-020-00472-x