AFM: GaIn液体合金基底生长MoS2
纳米技术 纳米 2020-10-04


二维过渡金属硫化物(TMDs)在光电材料的研究领域日益重要,但是大规模沉积二维TMDs材料仍然非常困难,并且成核过程困难,对基底有依赖性。液体金属为TMDs材料的大规模沉积提供了较好的解决方案,因为液体金属的高反应性、非极性、模板化作用。有鉴于此,新南威尔士大学Mohannad Mayyas、Kourosh Kalantar‐Zadeh等报道了在镓Ga和铟In的共晶合金(EGaIn)界面上通过钼基前体分子自沉积二维MoS2

本文要点:

(1)

EGaIn材料展现了超光滑模板作用,同时能作为基底形成大规模平面结构MoS2,生成的MoS2能转移到其他各种基底上。在EGaIn基底上通过阳极沉积电化学方法沉积MoS2,随后通过煅烧处理得到高度晶化的2H-MoS2。本工作展示了生成大规模二维TMD材料的可行方法。

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参考文献

Yifang Wang, Mohannad Mayyas*, Jiong Yang, Jianbo Tang, Mohammad B. Ghasemian, Jialuo Han, Aaron Elbourne, Torben Daeneke, Richard B. Kaner, Kourosh Kalantar‐Zadeh*

Self‐Deposition of 2D Molybdenum Sulfides on Liquid Metals, Adv Funct Mater 2020

DOI: 10.1002/adfm.202005866

https://www.onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adfm.202005866


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