MnBi₂Te₄、MnBi₄Te₇是本征反铁磁体拓扑绝缘体，为实现奇异拓扑量子态提供了较好的材料平台。但是这些材料的高浓度本征缺陷虽然产生块体的金属导电性，但是对表面态的量子传输过程测试难以实现，影响材料的磁性、拓扑性质。有鉴于此，橡树岭国家实验室Mao‐Hua Du等报道了DFT计算对MnBi₂Te₄、MnBi₄Te₇中生成缺陷、掺杂态的生长过程，结果发现在内部的异质结构产生的较高应力形成了较大程度的失配型反位缺陷、掺杂位点。

本文要点：

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作者发现，丰富的反位缺陷位点结构式产生n型金属导电性的原因。作者通过MnBi₂Te₄的合成实验、传输性能测试等实验发现多Te的生长环境中能够抑制体相自由电子浓度，此外，作者发现Na掺杂有效的作为接受掺杂位点从而使Fermi能级处于能带内部，实现界面量子传输。

参考文献

Mao‐Hua Du*, Jiaqiang Yan, Valentino R. Cooper, Markus Eisenbach,

Tuning Fermi Levels in Intrinsic Antiferromagnetic Topological Insulators MnBi₂Te₄ and MnBi₄Te₇ by Defect Engineering and Chemical Doping, Adv. Funct. Mater. 2020

DOI: 10.1002/adfm.202006516

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adfm.202006516