忆阻器（Memristor）作为处理数据、逻辑操作多功能结构，对未来电脑发展非常重要，有鉴于此，湖北大学叶葱等报道了（Bi:SnO₂）主体的忆阻器（结构为ITO/Bi:SnO₂/ITO），通过TEM对Bi:SnO₂器件进行表征，发现Bi原子在SnO₂晶体表面生成共轴的Bi导电细丝结构，Bi:SnO₂器件的自顺应电流、调节电压、开路电流都明显低于ITO/SnO₂/TiN器件，当Bi的掺杂量为4.8 %，0.4×0.4 μm²的ITO/Bi:SnO₂/TiN器件的操作功耗达到16 μW，与对比SnO₂器件的功耗相比降低了两个数量级，该研究结果验证了低功耗的器件，扩展了目前现有的电阻调控（RS）机制。

本文要点：

（1）

Bi:SnO₂忆阻器器件的SET/RESET电压、操作电流都得以降低，比SnO₂对比忆阻器能源消耗实现了两个数量级的缩减。作者发现，Bi在功能性结构中的掺杂效应导致共轴纳米结构，促进了I-V电化学性能，导致功耗大幅度降低。

参考文献

Yanxin Liu, Cong Ye*, Kuan‐Chang Chang, Lei Li, Bei Jiang, Chen Xia, Lei Liu, Xin Zhang, Xinyi Liu, Tian Xia, Zehui Peng, Guangsen Cao, Gong Cheng, Shanwu Ke, Jiahong Wang

A Robust and Low‐Power Bismuth Doped Tin Oxide Memristor Derived from Coaxial Conductive Filaments, Small 2020

DOI: 10.1002/smll.202004619

https://www.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/smll.202004619