浙江大学彭笑刚等报道了合成(001)、(00-1)极性面和(100)非极性面的量子点@纳米片结构的CdSe@CdS，考察了半导体纳米晶的表面结构和荧光之间的关系。

本文要点：

（1）

当CdSe@CdS的端基为和羧酸配位的Cd原子，在荧光吸收带边产生了接近100 %的荧光量子产率，同时荧光衰减过程为单指数动力学过程（寿命~28 ns）。

（2）

当界面上端基原子为硫，荧光产生完全不同的现象，带边为二级荧光带边，荧光量子产率较低，荧光寿命较高（＞78 ns）。光化学分析结果显示了二级UV-Vis吸收和荧光，通过化学元素分析、X射线光电子能谱分析，验证了这种二级荧光光谱和硫化物（-SH、-S-S-等）位点相关，而且可能在基面上形成界面离域的空穴电子态。

（3）

以上结果说明，对于半导体纳米晶体的界面缺陷进行研究，需要制备特定界面结构（晶面、界面化学键）的材料。

参考文献

Hairui Lei*, Yonghong Wang, Shaojie Liu, Meiyi Zhu, Chaodan Pu, Shangxin Lin, Haiyan Qin, and Xiaogang Peng*

Delocalized Surface Electronic States on Polar Facets of Semiconductor Nanocrystals, ACS Nano. 2020

DOI: 10.1021/acsnano.0c07176

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.0c07176