在玻璃上集成低功耗电子学器件能够对汽车、运输、包装、智能建筑、室内设计、医疗、生命科学、显示等领域中获得革命性改变，但是在玻璃上直接生长高性能、大规模、可靠的电子材料非常有难度，因此在玻璃上发展节能的电子学、光电器件需要创造性的制备过程方案，有鉴于此，宾夕法尼亚州立大学Saptarshi Das等报道了在较低温度（＜600 ℃）中气相沉积法制备原子层厚度MoS₂材料，通过原子层沉积法沉积~20 nm Al₂O₃作为顶栅极电介质，构建了低功耗光电晶体管，克服了MoS₂惰性基面上通过ALD沉积氧化物的困难，构建的MoS₂光探测器实现了对低可见光的高速测试，能量消耗仅仅~100 pico Joules。

本文要点：

（1）

通过NaCl作为成核抑制剂，MoS₂气相沉积能够在600 ℃中进行，分别通过Mo(CO)₆和H₂S作为反应物，在1 cm²的大猩猩（Gorilla）玻璃基底上生长MoS₂，电子束处理、SF₆刻蚀处理，随后分别沉积40 nm Ni、30 nm Au，随后通过ALD方法沉积Al₂O₃，通过电子束处理、BCl₃/Cl刻蚀。再进行构建40 nm Ni/30 nm Au顶栅结构。

参考文献

Joseph R. Nasr, Nicholas Simonson, Aaryan Oberoi, Mark W. Horn, Joshua A. Robinson, and Saptarshi Das*

Low-Power and Ultra-Thin MoS₂ Photodetectors on Glass, ACS Nano. 2020

DOI: 10.1021/acsnano.0c06064

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.0c06064