由于其固有的稳定性，准二维钙钛矿已经成为光电的新材料平台。器件性能的主要瓶颈是由其基面上的有机分子层引起的高电荷注入势垒，因此，性能最佳的器件目前依赖于边缘接触。新加坡国立大学Kian Ping Loh等人通过利用二维钙钛矿和石墨烯之间的范德华斯耦合和能级匹配，证明了平面接触的钙钛矿和石墨烯界面呈现出比金更低的势垒用于电荷注入。

主要内容：

1）跨界面的电子隧穿是通过栅极可调的。通过偏压调节直接的隧道-场发射机制，并且光诱导的电荷转移发生在飞秒的时间尺度（〜50 fs）。使用石墨烯触点在分子层厚度的二维钙钛矿上制造了场效应晶体管。其电子迁移率范围在1.7至200 K之间时，0.1到0.018 cm²V^-1s^-1。扫描隧道光谱研究表明，在几层的二维钙钛矿上，隧道势垒和畴尺寸取决于层数。

Leng, K., Wang, L., Shao, Y. et al. Electron tunneling at the molecularly thin 2D perovskite and graphene van der Waals interface. Nat. Commun. 11, 5483 (2020).

 https://doi.org/10.1038/s41467-020-19331-6