将金属有机骨架结合到先进设备中仍然是人们不断努力以期望实现的目标，但是由于制备具有合适电子性能的大型结晶金属有机骨架膜的困难，因而具有极大的挑战。

近日，美国约翰霍普金斯大学Thomas J. Kempa报道了通过化学气相沉积进行二钼桨轮前驱体Mo₂(INA)₄的大面积，高质量和相纯单金属有机骨架（MOF）晶体的直接生长。并证明了其结构和电导率可逆转换。

文章要点

1）这些异常均匀，高质量的MOF晶体覆盖面积高达8600 µm²，可以生长到30 nm的厚度。此外，扫描隧道显微镜表明，Mo₂(INA)₄团簇组装成二维的单层骨架。

2）器件很容易由单气相生长的晶体制成，在中等功率下照明时，其导电率可逆地发生8倍变化。此外，气相诱导的单晶转变是可逆的，并由原位器件测量监测到MOF晶体的电导率发生了30倍的变化。

气相方法，包括化学气相沉积，在制备高质量分子骨架方面显示出更广阔的前景，并可能使它们能够集成到包括探测器和执行器在内的设备中。

Claire, F.J., Solomos, M.A., Kim, J. et al. Structural and electronic switching of a single crystal 2D metal-organic framework prepared by chemical vapor deposition. Nat Commun 11, 5524 (2020)

DOI：10.1038/s41467-020-19220-y