传统的半导体薄膜外延需要兼容的单晶衬底和精确控制的生长条件，这限制了该工艺的价格竞争力和多功能性。

近日，美国加州大学洛杉矶分校杨阳教授，Jin-Wook Lee报道了高质量的甲酰胺-三碘化铅(FAPbI₃)钙钛矿薄膜的耐衬底纳米异质外延(NHE)生长。

文章要点

1）层状钙钛矿模板实现了FAPbI₃从六方非钙钛矿相到立方钙钛矿多晶相的固相转变，而生长动力学则受到应变和熵的协同控制。缓慢的异质外延生长使钙钛矿晶体增大了10倍，缺陷密度降低，择优取向较强。此外，该NHE很容易应用于用于器件的各种衬底。

2）基于NHE-FAPbI₃的概念验证太阳能电池和发光二极管（LED）器件具有优于没有NHE的器件的效率和稳定性。

该方法将为创新地降低钙钛矿和其他半导体材料薄膜中的缺陷密度提供新的见解，同时使用一种简单、廉价和通用的方法来进一步提高它们的稳定性和性能。

Lee, J., Tan, S., Han, T. et al. Solid-phase hetero epitaxial growth of α-phase formamidinium perovskite. Nat Commun 11, 5514 (2020).

DOI：10.1038/s41467-020-19237-3

https://doi.org/10.1038/s41467-020-19237-3