二维过渡金属硫化物半导体有广泛的结构特征、光电性质，比如强光-材料相互作用、在可见光到红外光之间可调控的能带、柔性、原子层可调控、量子限域效应等。因此二维过渡金属硫化物有望用于下一代微纳结构光电器件。为了探索这种二维过渡金属硫化物性能和器件结构的关系，人们对器件的性质、其中的关系、合成参数调控的影响进行研究，其中稳态荧光光谱得到广泛应用。这种传统的荧光测试方法能对不同大小的材料光电性质、制备方法等性质进行深入理解。有鉴于此，澳大利亚国立大学Mike Tebyetekerwa、Hieu T. Nguyen等综述报道了通过静态荧光方法表征二维TMD材料。

本文要点：

（1）

首先介绍了半导体荧光对应的物理性质，介绍了常用的获取、分析荧光光谱的方法。然后，对荧光光谱的各种应用进行总结和介绍。最后，讨论了荧光光谱应用中的限制、如何通过荧光表征二维TMD材料进行总结和展望。

参考文献

Mike Tebyetekerwa*, Jian Zhang, Zhen Xu, Thien N. Truong, Zongyou Yin, Yuerui Lu, Seeram Ramakrishna, Daniel Macdonald, and Hieu T. Nguyen*, Mechanisms and Applications of Steady-State Photoluminescence Spectroscopy in Two-Dimensional Transition-Metal Dichalcogenides, ACS Nano. 2020

DOI: 10.1021/acsnano.0c08668

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.0c08668