Janus晶体代表一类令人振奋的2D材料，其上，下两面有不同的原子种类。理论预言，这种对称性破缺可以诱导电场并产生许多新的特性，例如大的Rashba自旋轨道耦合和强相关电子态的形成。单层MoSSe Janus晶体可通过两种方法合成，分别是通过单层MoSe2的受控硫化和通过等离激元去胶以及随后MoS2的热退火。但是，较高的加工温度会阻碍其它Janus材料及其异质结构的生长。近日， 亚利桑那州立大学Sefaattin Tongay等报道了一种室温合成技术，用于合成多种具有高结构和光学质量的Janus单层。
本文要点：
1）该过程涉及低能量的反应性自由基前体，可选择性去除和置换最上层的硫属元素层，从而将经典的过渡金属二卤化物转化为Janus结构。
2）获得的材料在其激子跃迁中表现出明显的混合特性，更重要的是，该室温方法合成了第一个2D Janus 过渡金属二硫属化物垂直和横向异质结。
该工作为合成新型2D材料提供了重大且具有开创性的见解，并为由2D Janus层创建异质结构铺平了道路。
Dipesh B. Trivedi, et al. Room-Temperature Synthesis of D Janus Crystals and their Heterostructures. Adv. Mater., 2020
DOI: 10.1002/adma.202006320
