三重态激发的胶体半导体纳米晶/量子点在光化学、光子学领域非常重要，目前的量子点敏化方法中通常需要Cd、Pb等毒性元素，为了通过绿色方法合成此类敏化材料，大连化物所吴凯丰等报道了InP/ZnSe/ZnS结构核壳量子点的合成和上转换光敏化性能。

在单独的InP量子点，通过时间分辨光谱法发现，其中皮秒空穴捕获在单结构量子点中，会抑制能量转移或者导致其变得更加复杂。

本文要点：

（1）

通过构建InP/ZnSe/ZnS结构核壳量子点，有效的抑制了空穴捕获，通过界面修饰的蒽受体分子之间进行三重态能量转移，从而实现了84 %的能量转移效率。敏化的三重态分子会发生三重态之间的湮灭，实现10±0.1 %的上转换量子产率。

参考文献

Runchen Lai, Youbao Sang, Yang Zhao, and Kaifeng Wu*, Triplet Sensitization and Photon Upconversion Using InP-Based Quantum Dots, J. Am. Chem. Soc. 2020

DOI: 10.1021/jacs.0c09547

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.0c09547