全无机CsPbBrxI3-x钙钛矿纳米晶显示出纯红色发光二极管（LED）应用的巨大潜力。目前，基于CsPbBrxI3-x纳米晶的LED主要通过经典的胶体途径制造，包括繁琐的纳米晶体合成，纯化，配体或阴离子交换，薄膜浇铸等过程。如果采用传统的LED器件结构，则CsPbBrxI3-x LED只能在高开启电压（> 2.7V）下工作。而且，该混合卤化物系统在偏压下可能遭受严重的光谱偏移。冲绳科学技术大学院大学Yabing Qi等人通过一步旋涂方式掺入多个铵配体来制备具有纳米晶的CsPbBrxI3-x薄膜。多个铵配体限制了CsPbBrxI3-x纳米颗粒的生长。
本文要点：
1）这种CsPbBrxI3-x薄膜受益于量子限域效应。相应的CsPbBrxI3-x LED，采用常规的LED结构，即ITO/ PEDOT：PSS）/ CsPbBrxI3-x/PCBM/BCP/ Al。在国际照明委员会（CIE）坐标（0.709，0.290），（0.711，0.289）等处发出纯红色光，这代表了目前报道的纯红色钙钛矿LED的最高色纯度。CsPbBrxI3-x LED显示出1.6 V的低开启电压，8.94％的最大外量子效率，2,859 cdm-2的高亮度以及在偏压下的良好光谱稳定性。
Maowei Jiang et al. CsPbBrxI3-x thin films with multiple ammonium ligands for low turn-on pure-red perovskite light-emitting diodes, Nano Research，2020.
DOI: 10.1007/s12274-020-3065-5
https://link.springer.com/article/10.1007/s12274-020-3065-5
