AFM:Tb4O7抗水蒸气层提高气体传感器在水蒸气气氛中检测的稳定性
纳米技术 纳米 2020-11-15

在氧化物基传感器中,潮湿气氛导致气体传感器发生水中毒是一项长期以来难以克服的困难,人们发展了各种方法解决水中毒问题,但是在该过程同样以响应值/选择性降低等性能衰减作为代价,而且传感器的电阻值会大幅度增加。有鉴于此,高丽大学Jong-Heun Lee等报道了一种新型设计方案,通过设计一层水蒸气阻挡层Tb4O7,有效的消除了水蒸气对传感性能的影响,同时不会降低传感器性能

本文要点:

(1)

通过在In2O3材料界面上修饰一层纳米层Tb4O7材料,传感器在水蒸气中的性能衰减得以消除,同时器件的响应、选择性、电阻都能够保持原样。此外,这种Tb4O7阻挡层策略同样能够用在SnO2,ZnO,Pd/SnO2等传感材料体系。

(2)

Tb4O7水蒸气阻挡层通过Tb4O7本征具有的抗水性抑制了在Tb4O7/In2O3界面上形成-OH自由基,这种普适性策略提供了一种构建高性能气体传感器的方法,能用于准确、有效的检测。

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参考文献

Seong-Yong Jeong, Young Kook Moon, Jin Koo Kim, Sei-Woong Park, Yong Kun Jo, Yun Chan Kang, and Jong-Heun Lee*, A General Solution to Mitigate Water Poisoning of Oxide Chemiresistors: Bilayer Sensors with Tb4O7 Overlayer, Adv. Funct. Mater. 2020

DOI: 10.1002/adfm.202007895

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.202007895

 


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