Ge烯是一种二维蜂窝结构晶体，国立材料科学研究所（NIMS）Seiya Suzuki等报道了Ge烯在石墨烯/Ag(111)或者h-BN/Ag(111)基底上沉积Ge原子，随后通过在N₂或者H₂/Ar气氛和大气压中简单的煅烧处理（Ge原子扩散到Ag（111）和BN层间，生成二维锗烯）就生成Ge烯。该过程显示Ge烯的形成无需再高真空中进行，而且生成的Ge烯再空气中稳定存在，且Ge烯能够均匀担载于vdW材料界面上。

本文要点：

（1）

生长过程中vdW材料在Ge烯生长过程中作为封装层，当生长过程中将BN替换为Al₂O₃后，无法生长得到Ge烯。通过Raman光谱对Ge烯材料的边界进行表征，通过DFT模拟对Ge烯辅助进行研究。

（2）

这种生长在Ag(111)表面同时用BN封盖的方法有望用于未来Ge基电子器件的发展。

参考文献

Seiya Suzuki,* et. al. Direct Growth of Germanene at Interfaces between Van der

Waals Materials and Ag(111), Adv. Funct. Mater. 2020

DOI: 10.1002/adfm.202007038

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.202007038