大规模、高质量的2D材料因其独特的性质而成为现代化学和物理学中一个新兴的、有前途的选择。在过去的几年里，大尺寸单晶2D材料的可控制备技术取得了令人瞩目的进展。在众多的制备方法中，化学气相沉积法(CVD)因其通过调节生长条件对2D材料的尺寸和质量进行精细控制而备受关注。同时，铜因其在化学气相沉积过程中生长单层2D材料的显著优点而被广泛接受为最受欢迎的催化剂。

有鉴于此，天津大学胡文平教授，耿德超教授综述了利用化学气相沉积（CVD）法在铜衬底上制备大尺寸2D单晶的最新进展。

文章要点

1）作者首先从超低前驱体溶解度和可行的表面工程两个方面阐明了铜的独特性质。

2）作者研究了石墨烯和六方氮化硼(h-BN)晶体在铜衬底上的规模化生长，其中采用了不同的铜表面。此外，还揭示了二维单晶的生长机理，为深入研究单晶生长的动力学和动力学提供了指导。

3）作者最后对二维单晶工业化大规模生产的相关问题进行了讨论，并对其应用前景进行了展望。

Yixuan Fan, et al, Recent Advances in Growth of Large-Sized 2D Single Crystals on Cu Substrates, Adv. Mater. 2020

DOI: 10.1002/adma.202003956

https://doi.org/10.1002/adma.202003956.