硼、碳和氮三种元素的结合可以产生无数种不同性能的材料，包括氮化碳（CN）、氮化硼（BN）、碳化硼(BC)以及三元氮化硼化合物，其导电性质也广泛包括绝缘体、半导体和导体。近日，马克斯·普朗克胶体和界面研究所的Paolo Giusto教授等人开创性地发展了一种较低温度，且环保的策略，成功合成出具有有序共轭结构的三元硼碳氮薄膜。

本文亮点：

1）提出了一种在简单的炉内合成硼碳氮化物薄膜材料的创新方法，利用三聚氰胺和硼酸作为低危害的固体前体，通过在靶底物上的气相沉积聚合来合成三元BCN材料。与先前的策略相比，该方法所用温度相对较低。

2）通过调控前驱体含量来控制薄膜的结构和光学性能，从而形成sp²共轭氮化硼-碳氮化物混合材料，而不是得到通常报道的氮化硼-石墨烯相分离材料。所得到的的混合材料具有可调的光学性能，如带隙和荧光。

Paolo Giusto, et al. Boron Carbon Nitride Thin Films: From Disordered to Ordered Conjugated Ternary Materials. J. Am. Chem. Soc. (2020).

DOI: 10.1021/jacs.0c10945

https://doi.org/10.1021/jacs.0c10945