Angew:电荷转移促进氧化物基底上卟啉自金属化
ivvi 闲云野鹤 2020-11-29

由于卟啉和金属卟啉在物理化学方面具有独特的性质,使得其在有机/无机杂化材料科学领域的各个方面都得到了广泛的关注和应用。其中,以关于卟啉的表面介导过程最具有代表性,在氧化物表面的金属化和自金属化反应是近年来研究的热点。然而,卟啉在氧化物上自金属化的机理尚不清楚。有鉴于此,奥地利格拉茨大学的Martin Sterrer教授等结合扫描隧道显微镜、光电发射光谱和DFT计算,成功证实了电荷转移可以促进卟啉在超薄MgO(001)薄膜表面的自金属化。这一发现为卟啉在氧化物表面的自金属化机理提供了重要线索。

本文亮点:

1结合扫描隧道显微镜、光电发射光谱和DFT计算,成功揭示了电荷转移促进卟啉在超薄MgO(001)薄膜表面的自金属化的奥秘。

2通过调节MgO(001)/Ag(001)基底的功函数,我们可以控制卟啉分子在表面的电荷和金属化状态。

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Larissa Egger, et al. “Charge‐promoted self‐metalation of porphyrins on an oxide surface. Angew,2020.

DOI: 10.1002/anie.202015187

https://doi.org/10.1002/anie.202015187


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