半导体和金属的异质结是现代电子的基本构件。不同材料之间的共格异质结可以通过化学上不同元素的组成、掺杂或异质外延来实现。

近日，美国德州农工大学James D. Batteas报道了用机械剥离的方法在Au(111)表面形成化学均一的单层1H−1T -MoS₂异质结，这些异质结的形成是晶格应变和电荷转移共同作用的结果，具有明显的半导化（1H相）和金属化（1T相）特征。

文章要点

1）所采用的剥离方法没有出现许多剥离方法中常见的带状残留物，并且在Au表面生成了毫米（mm）尺寸的单层MoS₂。

2）研究人员利用拉曼光谱、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)、扫描隧道显微镜(STM)和扫描隧道谱(STS)研究了Au衬底上MoS₂单分子膜的结构和电子性质。

3）研究人员观察到了MoS₂中存在的气泡，这些气泡是在沉积过程中被周围的吸附物捕获在单层之下而形成。

研究工作为制备具有潜在应用前景的二维异质结提供了基础。

Fanglue Wu, et al, Formation of Coherent 1H−1T Heterostructures in Single-Layer MoS₂ on Au(111), ACS Nano, 2020

DOI: 10.1021/acsnano.0c06014

https://dx.doi.org/10.1021/acsnano.0c06014