ACS Nano:一种溶液可加工的二硫代烷基二硫代噻吩(DSDTT)小分子及其共混物用于高性能有机场效应晶体管
Nanoyu Nanoyu 2020-12-01


有机半导体因其固有的机械灵活性而受到极大关注,因此,有机电子器件有望打开诸如柔性显示器、智能卡、传感器、存储设备、射频标签和透明电路等应用,并被用于大面积敏感导管等生物医学应用。可实现π偶联的小分子和聚合物材料受到了人们的广泛关注。设计具有良好电荷传输特性的溶液可加工小分子半导体,特别是在有机场效应晶体管(OFET)中,依赖于具有平面共轭主链的结构设计,通过分子间轨道重叠来增强分子堆积,并通过合适的侧链功能化以便于溶液加工和表现出良好的环境稳定性。

近日,美国西北大学Antonio Facchetti,台湾中央大学Ming-Chou Chen,台湾大学Cheng-Liang Liu报道了合成了3,5-二硫辛基二硫并噻吩基小分子半导体DDTT-DSDTT(1),用熔融二硫代硫并噻吩(DTT)单元对其进行了端基官能化,并对其进行了表征。

文章要点

1研究人员对1的热学、光学、电化学和计算电子结构性质进行了研究和对比。1的单晶结构揭示了S(烷基)···S(噻吩基)与平面核之间存在分子内锁定,S(烷基)···S(噻吩环)的S−S距离很短,为3.10 Å

2当在OFET器件中进行测量时,当通过溶液剪切沉积方法并使用环境可接受的苯甲醚作为溶剂处理半导体层时,化合物1的空穴迁移率为3.19 cm2 V−1 s−1。这是迄今为止,所报道的全噻吩基分子半导体的最高值。

3研究人员对溶液处理小分子/绝缘聚合物(1/PαMS)共混膜和器件进行了研究。形态分析表明,纳米级垂直相分离,PαMS层优先接触介质,1位于堆栈顶部。此外,基于包含50%重量1的共混物制作的OFET的空穴迁移率为2.44 cm2 V−1 s−1,在栅偏压下阈值电压漂移很小。

 

Chia-Chi Lin, et al, A Solution Processable Dithioalkyl Dithienothiophene (DSDTT) Based Small Molecule and Its Blends for High Performance Organic Field Effect Transistors, ACS Nano, 2020

DOI: 10.1021/acsnano.0c07003

https://dx.doi.org/10.1021/acsnano.0c07003


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