电子耦合二维异质结构中出现的量子现象是下一代光学、电子和量子信息应用的核心。通过优化耦合异质结构的电子带隙可以成功控制这种现象，通过制备二维聚合物为此提供了一条极具潜力的途径。然而，利用制备二位聚合物的思想来制造电子耦合二维异质结构仍然是一个严峻的挑战。有鉴于此，加州大学伯克利分校的Feng Wang教授等报告了电子耦合半导体2的聚合物/2D过渡金属二硫化物异质结构的合理设计和优化合成，成功实现了将高结晶度的2D聚合物薄膜直接剥落到几纳米，并首次对2D聚合物/MoS₂异质结的厚度依赖性进行了研究。

本文亮点：

1）通过合理设计和优化合成，制备了电子耦合半导体2的聚合物/2D过渡金属二硫化物异质结构。除此之外，成功实现了将高结晶度的2D聚合物薄膜直接剥落到几纳米。

2）首次对2D聚合物/MoS₂异质结的厚度依赖性进行了研究。通过对2D聚合物层的控制成功揭示了超薄片中2D聚合物光致发光增强了两个数量级，以及2D聚合物/MoS2异质结构中超快激发态动力学的厚度依赖性调制机制。

3）该研究结果加深了对2D聚合物电子结构的认识，并提出通过调节2D聚合物杂化异质结构可以实现控制量子现象。

Halleh B. Balch, et al. Electronically Coupled 2D Polymer/MoS2 Heterostructures. J. Am. Chem. Soc. (2020).

DOI: 10.1021/jacs.0c10151

https://doi.org/10.1021/jacs.0c10151