通过自组装工艺可以制备不同组成的介孔材料，为大界面p-n结太阳能电池、光电化学电池、生物传感器等提供了广泛的应用平台。迄今为止，半导体CdX（X=Te，Se，S等）纳米颗粒已经成功地嵌入到介孔基质中，从而具有最大的表面积。

近日，澳大利亚昆士兰大学Yusuke Yamauchi, Jongbeom Na报道了通过软模板辅助电化学沉积法，在稳定的聚苯乙烯-b-聚氧乙烯（PS-b-PEO）嵌段共聚胶束的存在下，合成了介孔半导体薄膜（CdSe和CdTe）。

文章要点

1）研究发现，这种方法可以显著控制薄膜孔径（从5到50 nm）和密度，同时确保良好的均匀性。此外，由于省去了复杂的步骤、昂贵的材料和复杂的CVD工艺，该方法适用于低成本和大规模生产介孔CdX半导体。

2）为了证明该方法的通用性，研究人员使用两种不同分子量的嵌段共聚物，得到了孔径为9和18nm的薄膜。

3）作为概念验证，所开发的基于介孔CdSe薄膜的光电探测器在680 nm波长下，显示出204 mW^-1 cm²的高灵敏度，比本体光电探测器的灵敏度至少高出两个数量级。

这项工作开创了一种新的合成路线，用于合成具有可见光谱中带隙的纳米结构半导体。

参考文献：

Tomota Nagaura, et al, Universal Electrochemical Synthesis of Mesoporous Chalcogenide Semiconductors: Mesoporous CdSe and CdTe Thin Films for Optoelectronic Applications, Angew. Chem. Int. Ed., 2020

DOI: 10.1002/anie.202013541

https://doi.org/10.1002/anie.202013541