超薄过渡金属硫属化合物（TMDs）在电子器件、传感器、催化和能量存储等领域具有广泛地应用前景。原子薄过渡金属二硫化物(TMDs)的生产已经通过各种自上而下剥离的方法进行了研究，如机械剥离和化学剥离，而大规模的化学剥离是缓慢的，需要超过10个小时才能实现原子薄TMDs的制备。因此，快速而温和的方法来实现原子层厚度TMDs的制备仍然是一个重要的问题。

有鉴于此，武汉理工大学麦立强教授和Wen Luo等人，报道了一种新的策略，通过温和的电化学处理，可在数十秒内将大块MoS₂剥离成两层/三层薄片。

本文要点

1）这种剥离方法是由从典型的层边缘开始的横向向内的氧化反应驱动的，并通过快速的深度渗透，从而最终形成一个堆叠的少数层(2/3层)结构。

2）利用电化学氧化剥离的新策略将硫化钼快速地转变为原子层厚度的堆叠结构，并且通过基于单片MoS₂电化学器件和拉曼光谱原位观测了电化学剥离的反应途径，并证明了厚度的均匀性。

3）此外，经过重新组装的特殊多层MoS₂在电催化（析氢反应过电位127 mV）和表面增强拉曼光谱（1.15×10⁵增强因子）中作为功能材料具有出色的性能。

总之，该工作说明了重组的多层MoS₂在光学，催化和传感器领域的广阔前景。

参考文献：

Xuelei Pan et al. Electrochemically Exfoliating MoS₂ into Atomically Thin Planar‐Stacking Through a Selective Lateral Reaction Pathway. Advanced Functional Materials, 2020.

DOI: 10.1002/adfm.202007840

https://doi.org/10.1002/adfm.202007840