Nano Lett.:一维过渡金属碲化物纳米线的晶圆级生长
芣苢 西瓜 2020-12-14

功能纳米材料的大规模制备方法的发展对基础科学和应用科学的进展至关重要。过渡金属硫属化物(TMC)纳米线具有一维(1D)结构、三个原子直径和范德华表面,据报道其具有一维金属性质,在电子和能源设备中具有巨大潜力。然而,它们的批量生产仍然具有挑战性。近日,东京都立大学Yasumitsu Miyata,Hong En Lim等通过化学气相沉积证明了高结晶度过渡金属碲化物(WTe和MoTe)纳米线的晶圆级合成。

本文要点:

1该方法可以获得均由单个纳米线组成的对齐的,原子级薄的二维(2D)薄片或三维(3D)束的随机网络。

2实验表明,获得的纳米线表现出各向异性的一维光学响应和出色的导电性能。

该工作不仅实现了导电薄膜的受控和大规模合成,而且为基于纳米线的2D和3D晶体的物理和器件应用研究提供了平台。

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Hong En Lim, et al. Wafer-Scale Growth of One-Dimensional Transition-Metal Telluride Nanowires. Nano Lett., 2020

DOI: 10.1021/acs.nanolett.0c03456

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.0c03456

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