原子级薄的Bi₂O₂Se是2D材料的新成员，具有超高的载流子迁移率和出色的空气稳定性，在电子和光电领域显示出巨大的潜力。此外，它的铁电特性使其导热系数极低，使其成为热电元件的理想选择。近日，东南大学Zhenhua Ni，Junpeng Lu，新加坡科学技术研究局Jing Wu等研究了二维Bi₂O₂Se在较宽的温度范围（20–300 K）下的热电性能。

本文要点：

1）作者观察到了从极性光学声子（POP）散射到压电散射的门可调过渡，这促进了二维Bi₂O₂Se中急剧迁移工程的能力。

2）基于此，作者在前所未有的温度范围（80–200 K）内实现了超过400 µW m^-1 K^-2的高功率因数，这与高门可调散射机制产生的持久高迁移率相对应。

该工作开辟了一条通过在宽温度范围内改变散射机制和载流子迁移率实现热电性能的最大化的新途径。

Fang Yang, et al. Gate‐Tunable Polar Optical Phonon to Piezoelectric Scattering in Few‐Layer Bi2O2Se for High‐Performance Thermoelectrics. Adv. Mater., 2020

DOI: 10.1002/adma.202004786

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202004786