纳米人-Adv Mater综述：基于氧化物的电阻存储器器件

Adv Mater综述：基于氧化物的电阻存储器器件

纳米技术纳米 2020-12-14

基于氧化物的电阻开关存储器对物联网发展具有关键的需求，需要低功耗、高密度、新计算方法，能够以价格合理的过程进行大批量器件制备。目前大多数见诸报道的氧化物的电阻开关存储器一般都是通过物理/化学气相沉积方法构建，因此器件的制备过程非常昂贵，因为该过程中的大规模制备难以实现。因此基于溶液相的制备方法得以发展，同时能够实现大面积上均匀担载、透明、廉价、步骤简单、广泛的兼容性，为未来的非易失性存储器提供制备方案。

有鉴于此，葡萄牙里斯本新大学Emanuel Carlos、Asal Kiazadeh、Elvira Fortunato等报道了非易失性存储器的相关进展。

本文要点：

（1）

首先介绍了非易失性存储器的发展历程，阐释了溶液相合成氧化物基电阻式随机存取存储器（S-RRAM）的进展情况。

（2）

随后，对溶液相合成方法中的各种参数和条件、与器件性能之间的关系进行总结。讨论了金属氧化物薄膜的分析、S-RRAM器件目前的发展和大规模制备中的进展情况进行总结。对控制合成过程中的方法、金属盐前体分子、稳定剂、修饰物、比例等参数条件，对溶液相方法合成中薄膜厚度、环境条件等对金属氧化物薄膜材料性能的改善等方面进行介绍。在各种参数中，最为关键的问题在于合成、沉积方法，温和的制备条件/过程。此外，器件中材料和金属接触之间形成的Schottky、Ohmic异质结不对称结构在器件中非常关键。

（3）

最后，讨论了S-RRAM器件中的主要挑战进行总结，给出了S-RRAM器件的未来发展方向。