开发制备功能纳米材料的批量合成工艺是推动基础科学和应用科学发展的关键。具有一维（1D）结构的过渡金属硫属化物（TMC）纳米线具有三个原子的直径和范德华（van der Waals）表面，已被报道具有一维金属特性，在电子和能源器件方面具有巨大的应用潜力。然而，其规模化生产仍然具有挑战性。化学气相沉积（CVD），是一种可以大规模合成各种纳米材料的强大技术，包括CNT、石墨烯和TMDCs。
有鉴于此，日本东京都立大学Yasumitsu Miyata，Hong En Lim报道了通过CVD技术，实现了具有高结晶度过渡金属碲化物纳米线的晶圆级合成。
文章要点
1）研究人员通过改变生长衬底，展示了基于TMC纳米线的2D和3D结构，其充当1D vdW的构建块。WTe纳米线的HAADF-STEM和TEM横截面图像显示，在a面蓝宝石衬底上生长出WTe纳米线的单层和双层片，而在SiO2/Si衬底上生长出包含大约120条WTe纳米线的3D束。
2）除了2D和3D的聚集形式外，CVD过程还导致在晶圆级上形成与衬底相关的排列和随机取向的TMC纳米线。研究人员发现在SiO2/Si和蓝宝石衬底上生长的WTe纳米线均具有高密度的纤维状结构。
3）研究发现，这些WTe纳米线表现出各向异性的一维光学响应和出色的导电性能。
该研究工作不仅为导电薄膜的可控大规模合成提供了新的思路，同时也为基于纳米线的2D和3D晶体的物理和器件应用研究提供了平台。
参考文献：
Hong En Lim, et al, Wafer-Scale Growth of One-Dimensional Transition-Metal Telluride Nanowires, Nano Lett, 2020
DOI: 10.1021/acs.nanolett.0c03456
https://dx.doi.org/10.1021/acs.nanolett.0c03456
