功能化纳米材料的批量合成工艺的发展是基础科学和应用科学取得进展的关键。过渡金属硫族化合物(TMC)纳米线是一维(1D)结构，具有三原子直径和范德华表面，具有一维金属性质，在电子和能源器件中具有很大的应用潜力。然而，它们的大规模生产仍然具有挑战性。

有鉴于此，东京都立大学Yasumitsu Miyata和Hong En Lim等人，通过化学气相沉积实现了高结晶度过渡金属碲化物纳米线的晶圆级合成。

本文要点

1）通过化学气相沉积（CVD），实现了具有各种聚集形式的WTe和MoTe TMC纳米线的晶圆级生长。观察到生长衬底会影响TMC纳米线的结构和形态，在具有不同结晶度和晶格取向的衬底上会形成随机或有序的网络。

2）该技术可以形成排列整齐的原子薄的二维(2D)薄片或三维(3D)束随机网络，两者都是由单个纳米线组成。这些纳米线表现出各向异性的一维光学响应和优异的导电性能。

3）本合成方法使研究这些TMC纳米线网络的光学和电子性质成为可能，这将有利于未来在电子和能量收集设备上的应用。

总之，该工作不仅揭示了导电薄膜的受控和大规模合成，而且为基于纳米线的2D和3D晶体的物理和器件应用研究提供了平台。

参考文献：

Hong En Lim et al. Wafer-Scale Growth of One-Dimensional Transition-Metal Telluride Nanowires. Nano Lett., 2020.

DOI: 10.1021/acs.nanolett.0c03456

https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.0c03456